从纳米线研究中取得更便宜的LED
UC San Diego的工程师合成了一种长寻求的半导体材料，可以为廉价的新型发光二极管铺平道路，这可以根据Journcy的一篇新论文与当今广泛使用的氮化镓LED竞争。纳米字母。
为了构建LED，您需要正电荷和带负电的半导体材料。在一个LED中，当电子迎接孔时，它落入较低的能级，并以光子的形式释放能量。UC圣地亚哥工程师合成氧化锌（ZnO）纳米级气缸，其运输正电荷。所谓的“P型ZnO纳米线”被赋予载有“孔”的正电荷，多年来一直是防止工程师从ZnO纳米线构建LED的缺失成分。相反，制造“n型”ZnO纳米线，其负电荷（电子）并不是一个问题。ZnO LED的起始材料和制造成本远远低于氮化镓LED的原料。
来自UCSD的Jacobs工程学院和UCSD和北京大学同事的电气和计算机工程教授，在纳米字母上在线发布的纸上报告了高质量P型氧化锌纳米线的合成。
“氧化锌纳米结构令人难以置信地研究，因为它们很容易制造。现在我们有P型氧化锌纳米线，LED和超越的机会是无穷无尽的，“王说。
王先生提出了P型ZnO纳米线的临时专利，他的UCSD实验室目前正在研究各种纳米级应用。
“氧化锌是一个非常好的光发射器。电动氧化锌单纳米线激光器可用作光学数据存储，成像和生物化学传感的高效纳米级光源，“王说。
为了使P型ZnO纳米线，工程师使用使用简单的化学气相沉积技术掺杂ZnO晶体，其比通常用于合成氮化镓LED的构建块的金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术昂贵。将磷原子添加到ZnO晶体结构上通过形成缺陷复合物来引入p型半导体材料，该缺陷复合物增加相对于自由电子的数量的孔的数量。
“氧化锌是宽带隙半导体并产生提供自由孔的p型掺杂杂质非常困难 - 特别是在纳米线中。宾翔在我的小组的日夜工作了一年多的时间来实现这一目标，“王说。
将来，王预计通过从溶液中制作p型和n型ZnO纳米线，甚至进一步降低成本。
多年来，研究人员一直通过锌和氧气制造电子丰的N型ZnO纳米线晶体。常规ZnO晶体结构中缺氧氧原子产生锌原子的相对过度达累，并给出半导体它们的n型导电性能。然而，缺乏P型ZnO纳米线阻止了各种ZnO纳米型的开发。
虽然高质量的p型ZnO纳米线之前还没有报道，但已有研究小组证明了ZnO薄膜中的p型导电，并制作了ZnO薄膜发光二极管。Wang解释说，使用ZnO纳米线而不是薄膜来制造LED将更便宜，并可能产生更高效的LED。
具有N-和P型ZnO纳米线 - 互补纳米线 - 也可用于各种应用，包括晶体管，闪铜，UV探测器，纳米液和显微镜。在闪光灯中，研究人员可以使用P型ZnO纳米线通过用磁性原子（例如锰和钴）掺杂ZnO，王解释来制备稀磁半导体。
依赖于ZnO半导体性质的晶体管现在也在地平线上。“纳米线中的p型掺杂将使互补的ZnO纳米线晶体管成为可能”，“王说。
为了构建LED，您需要正电荷和带负电的半导体材料。在一个LED中，当电子迎接孔时，它落入较低的能级，并以光子的形式释放能量。UC圣地亚哥工程师合成氧化锌（ZnO）纳米级气缸，其运输正电荷。所谓的“P型ZnO纳米线”被赋予载有“孔”的正电荷，多年来一直是防止工程师从ZnO纳米线构建LED的缺失成分。相反，制造“n型”ZnO纳米线，其负电荷（电子）并不是一个问题。ZnO LED的起始材料和制造成本远远低于氮化镓LED的原料。
来自UCSD的Jacobs工程学院和UCSD和北京大学同事的电气和计算机工程教授，在纳米字母上在线发布的纸上报告了高质量P型氧化锌纳米线的合成。
“氧化锌纳米结构令人难以置信地研究，因为它们很容易制造。现在我们有P型氧化锌纳米线，LED和超越的机会是无穷无尽的，“王说。
王先生提出了P型ZnO纳米线的临时专利，他的UCSD实验室目前正在研究各种纳米级应用。
“氧化锌是一个非常好的光发射器。电动氧化锌单纳米线激光器可用作光学数据存储，成像和生物化学传感的高效纳米级光源，“王说。
为了使P型ZnO纳米线，工程师使用使用简单的化学气相沉积技术掺杂ZnO晶体，其比通常用于合成氮化镓LED的构建块的金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术昂贵。将磷原子添加到ZnO晶体结构上通过形成缺陷复合物来引入p型半导体材料，该缺陷复合物增加相对于自由电子的数量的孔的数量。
“氧化锌是宽带隙半导体并产生提供自由孔的p型掺杂杂质非常困难 - 特别是在纳米线中。宾翔在我的小组的日夜工作了一年多的时间来实现这一目标，“王说。
将来，王预计通过从溶液中制作p型和n型ZnO纳米线，甚至进一步降低成本。
多年来，研究人员一直通过锌和氧气制造电子丰的N型ZnO纳米线晶体。常规ZnO晶体结构中缺氧氧原子产生锌原子的相对过度达累，并给出半导体它们的n型导电性能。然而，缺乏P型ZnO纳米线阻止了各种ZnO纳米型的开发。
虽然高质量的p型ZnO纳米线之前还没有报道，但已有研究小组证明了ZnO薄膜中的p型导电，并制作了ZnO薄膜发光二极管。Wang解释说，使用ZnO纳米线而不是薄膜来制造LED将更便宜，并可能产生更高效的LED。
具有N-和P型ZnO纳米线 - 互补纳米线 - 也可用于各种应用，包括晶体管，闪铜，UV探测器，纳米液和显微镜。在闪光灯中，研究人员可以使用P型ZnO纳米线通过用磁性原子（例如锰和钴）掺杂ZnO，王解释来制备稀磁半导体。
依赖于ZnO半导体性质的晶体管现在也在地平线上。“纳米线中的p型掺杂将使互补的ZnO纳米线晶体管成为可能”，“王说。
